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B727


SI PNP darlington transistor
GFX
UCE/UCB -120/-120V
IC -6A
hFE >1000
Ptot 50W
fT -
TJ -
le B727 c´est transistor silicium PNP darlington , Uce = 120V, Ic = 6A, d´application: transistor de puissance, diode intégrée
Image: -
Source: 2SB727
Informations plus avancées pour B727
OEM:Hitachi Ltd.... [plus]
Hitachi Ltd. Japan
Package: TO-220
Fiche technique (jpg):-
Fiche technique (pdf):-
OEM Fiche technique:-
Type complémentaire: ↑2SD768
Liste des type similaires:BD652, [plus]
BD652,BDT20,BDW64D,BDW74D
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SI PNP darlington transistor
GFX
UCE/UCB -120/-120V
IC -6A
hFE >1000
Ptot 50W
fT -
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le B727 c´est transistor silicium PNP darlington , Uce = 120V, Ic = 6A, d´application: transistor de puissance, diode intégrée
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Hitachi Ltd. Japan
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UCE/UCB -120/-120V
IC -6A
hFE >1000
Ptot 50W
fT -
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Hitachi Ltd. Japan
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2SD768


SI NPN darlington transistor
type complémentaire à B727
GFX
UCE/UCB 120/120V
IC DC/AC 6/10A
hFE 1-20k
Ptot 40W
TON/TOFF 1/3µS
TJ -
le 2SD768 c´est complémentaire transistor silicium NPN darlington , Uce = 120V, Ic = 6A, d´application: transistor de puissance, diode intégrée
Image: -
Source: Jaeger electronic catalog...... [plus]
Jaeger electronic catalog 1999
Type complémentaire: 2SD768
OEM:Hitachi Ltd.... [plus]
Hitachi Ltd. Japan
Package: TO-220
Fiche technique (jpg):-
Fiche technique (pdf):-
OEM Fiche technique:-
Type complémentaire: ↑2SB727
Liste des type similaires:BD651, [plus]
BD651,BDW63D,BDT21
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Jaeger electronic catalog 1999
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